目前，在有源光器件領域，高速光通信(40G/100G)、寬帶接入FTTH、3G及LTE無線通信、高速光互聯、智能光網絡中所應用的芯片、器件及模塊的技術正成為競相開發的熱點，而以光集成、高速光信號調制技術、高速光器件封裝技術等為代表的光器件平臺技術也越來越被廣大OC廠商所重視。
光通信有源器件的技術發展與突破
滿足不斷增長的帶寬需求，同時不斷降低資本和運維支出，將繼續是推動光通信技術發展的兩個主要動力。為了滿足系統不斷發展的需求，有源光通信器件的發展涉及到許許多多的技術，然而，近年來有幾項技術值得我們特別關注：這包括40G/100G高速傳輸器件與模塊技術、下一代光纖接入技術、光載射頻ROF(Radio Over Fiber)器件與模塊技術、光集成技術、高速互連光電器件與模塊等等。
光集成技術值得期待
光集成器件由于其綜合成本低、體積小巧、易于大規模裝配生產、工作速率高、性能穩定等等優點，早在20世紀70年代就引起了世人的關注和研究。在隨后的三十多年里，隨著光波導制作技術以及各種精細加工技術的迅速發展，光集成器件正在大量地進入商用，尤其是基于平面光回路(PLC， Planar Lightwave Circuit) 的一些光無源器件， 如光分路器(Splitter)、陣列波導光柵(AWG)等等，目前已成為光通信市場上的熱門產品。在光有源器件的領域中，有源的集成產品還遠遠未達到大規模的商用，但隨著一些該領域中的先進技術如色散光橋光柵( Dispersion Bridge Grating)的成功開發，基于PLC的有源器件近來取得了長足的進步。
光集成的技術發展方向主要可分為兩類：單片集成和混合集成。單片集成是指在半導體或光學晶體襯底上，經過同一制作工藝，把所有元件集成在一起，如：PIC和OEIC技術;而混合集成是指用不同的制作工藝，制作一部分元件后，再組裝在半導體或光學晶體襯底上。
以前，Si基的混合集成的實際制作工藝一直是相當復雜的，但近來，一些研究機構對傳統倒裝為基礎的混合集成工藝作了改進，取得了較大進展。其中，能引人矚目的成果有兩項： 一項是加州大學Santa Barbara分校與Intel公司合作研究的基于晶片(Wafer)級結合的混合集成器件; 第二項是比利時根特(Ghent) 大學的基于芯片(Chip) 和晶片(Wafer)結合的混合集成器件。
近年來光集成的技術發展，使得其迅速成為光通信領域中非常值得期待的一項平臺技術，可望得到極其廣泛的應用。
高速光電互連技術超乎想象
高速光電互連技術通過并行光模塊和帶狀光纜或電纜來實現.并行光模塊是基于VCSEL陣列和PIN陣列,波長850nm,適合50/125μ m和62.5/125μm的多模光纖。封裝上其電接口采用標準的MegArray連接器,光接口采用標準的MTP/MPO帶狀光纜。目前比較通用的并行光模塊有4路收發和12路收發模塊。在當前的市場上， 較為常見的高速并行光模塊有： 4×3.125Gb/s(12.5Gb/s)并行光纖模塊,應用在如計算機系統如刀片式服務器的短距離互連; 12× 2.725Gb/s(32.7Gb/s) 并行光纖模塊,應用在高端交換設備中以及背板聯接中。并行光模塊的應用正在逐漸走向成熟。
當前，超級計算機、云計算、短距離高速數據通信等應用的興起，直接推動了高速光電互連技術的迅猛發展，其市場應用規模及技術發展將會超乎人們的想象。
